Samsung готова к массовому производству 128-Гбит флэш-памяти с трёхбитовой ячейкой

Южнокорейская компания Samsung Electronics считает, что эра потребительских SSD ёмкостью свыше 500 Гб уже не за горами. Помочь в распространении твёрдотельных накопителей большой ёмкости обещает начало массового производства флэш-памяти с возможностью записи трёх бит в ячейку — NAND TLC. К массовому выпуску подобных микросхем ёмкостью 128 Гбит компания намерена приступить уже в текущем месяце. Согласно официальному пресс-релизу Samsung, память NAND TLC будет выпускаться с применением техпроцесса класса 10 нм. К сожалению, в Samsung перестали указывать точную цифру техпроцесса, но он наверняка ближе к верхней отметке (20 нм), чем к нижней (10 нм). К слову, компания Micron не так давно приступила к выпуску 20-нм NAND TLC, так что Samsung не слишком от неё отстала.


Новая трёхбитовая память Samsung будет использоваться для встраиваемого применения, для выпуска флэш-карточек и для производства твёрдотельных накопителей. Последнее пока встречает настороженное отношение со стороны пользователей, ведь износ TLC-ячеек происходит на порядок быстрее, чем в случае памяти типа MLC. Но это не мешает компании Samsung выпускать и продавать SSD на памяти TLC, и армия сторонников трёхбитовой памяти понемногу растёт за счёт новых компаний.

Интерфейс микросхем 128-Гбит NAND TLC Samsung традиционный — асинхронный Toggle DDR 2.0 (400 Мбит/с). Этот же интерфейс использует компания Toshiba, тогда как Micron практикует выпуск памяти с синхронным интерфейсом ONFI. Скорости обоих интерфейсов в одном и том же поколении примерно равны, но в зависимости от реализации контроллера могут показывать разную производительность. Отдельно надо сказать, что в последние месяцы спрос на TLC-память значительно вырос, хотя она по-прежнему остаётся дешевле MLC-памяти из расчёта плотности записи на единицу площади кристалла.



Кто Онлайн

Сейчас 14 гостей и ни одного зарегистрированного пользователя на сайте