Специалисты из Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL) разработали новый тип энергонезависимой памяти – сообщает сайт Engadget. В качестве основы памяти, а также материала для электродов применяются несколько слоёв графена, а для переключения ячеек учёные применили прослойку из молибденита. Как показали проведённые исследования, такой слой обладает практически идеальной шириной для запрещённой зоны, что позволит переключать состояния из нолей в единицы максимально быстро и с наименьшими энергетическими затратами.

По утверждению автора разработки, оба материала по своим электрическим свойствам превосходят кремний, а при совместном применении их преимущества суммируются. Отметим, что молибденит, как и графен – материалы недорогие, и могут применяться в сверхтонких структурах - это поспособствует распространению и универсальности применения нового типа памяти, в том числе в гибких и прозрачных устройствах.